創業から50年目の節目となる2010年より、自社でのSiC結晶開発をスタートいたしました。
単結晶SiCはその特性から今後次世代パワー半導体として市場拡大することが予測されておりますが、難加工材としても知られております。
弊社ではこれまで長年培ってきた「磨く、切る」の加工技術で難加工材であるSiCを高品質かつ安価に提供することを目標に取り組んでおります。
これまではお取引先様から御支給頂く材料を加工する受託加工をベースに事業運営して参りましたが、今後はSiCウェハ事業も加えた「磨く・切る・創る」を事業の3本柱として取り組んで参ります。
平成28年度サポイン事業の研究開発成果等報告書
平成28年度サポイン事業の研究成果概略版